典型应用场景
集成电路等器件本身由于接触分离或者摩擦带电，在接触或者处理器件时会发生放电，研究表明，带电器件模型（CDM）对器件造成的损坏远远多于 HBM 和 MM，F-CDM_3kV静电放电测试平台适用于半导体器件、微电子器件、厚膜器件和电阻器基片、压电晶体的静电放电试验。符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018、AEC_Q100-011、AEC_Q101-005标准要求。
主要特点
1.试验电压可达3kV、精度高、分辨率高、稳定性好
2.内置标准等级，方便型式试验的测试
3.全智能程控式设计，液晶显示、操作方便
4.采用半导体电子开关，寿命长，性能稳定
5.集成了高倍显微镜、自动电机、CDM模块于一体的模拟器
主要技术指标
| 型 号 | F-CDM_3kV 静电放电测试平台 |
| 放电模式 | CDM模式 |
| 符合标准 | ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 AEC_Q100-011-REV-D AEC_Q101-005-REV-A |
| 放电电容 | 6.8pF/55pF |
| 符合标准 | AEC_Q100-011-REV-A/B/C/C1 AEC_Q101-005-REV-2005 ANSI/ESD S5.3.1（选配） |
| 放电电容 | 4pF/30pF（选配） |
| 放电电压 | 100~3000V |
远方视频号
